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Si4622DY
Vishay Siliconix
CHANNEL-2 TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
10
T J = 150 °C
0.06
0.05
0.04
0.03
I D = 8 .6 A
T J = 125 °C
1
0.1
T J = 25 °C
0.02
0.01
0.00
T J = 25 °C
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
4
8
12
16
2.0
1. 8
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
10
8
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
1.6
6
1.4
1.2
1.0
0. 8
I D = 250 μ A
4
2
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0 . 1
1
10
100
1 000
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
100
Limited by R DS(on) *
10
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100 μs
1 ms
1
10 ms
100 ms
0.1
T A = 25 °C
Single P u lse
B V DSS
1s
10 s
DC
Limited
0.01
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
Document Number: 68695
S09-0764-Rev. B, 04-May-09
www.vishay.com
9
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